佛山市国星半导体技术有限公司外延芯片项目

佛山市国星半导体技术有限公司外延芯片项目

（一期）建设项目环境影响评价公告（第一次）

佛山市国星半导体技术有限公司外延芯片项目（一期）建设项目环境影响评价工作正在开展。依据2006年3月18日实施的《环境影响评价公众参与暂行办法》（国家环保总局环发2006【28号】）的规定，需要对本项目的实施情况进行公示，以便让公众了解，同时也能了解社会公众对本项目建设的态度及对本项目环境保护方面的意见和建议，接受全社会公众的监督。

一、建设项目概况

项目名称：佛山市国星半导体技术有限公司外延芯片项目（一期）建设项目

项目选址：本项目建设地点位于广东新光源产业基地塱沙2路以北，工贸大道以东

项目概述：厂区内将建设一座四层生产厂房（包括外延区和芯片区）、一座七层研发楼以及生产辅助的氢气站、氮气站、化学品库等。本项目规划总用地面积36953.73㎡，一期建筑面积51263.1㎡。本项目实施后，一次建成满足50条MOCVD生产线及相应的芯片生产设备使用的生产厂房，工艺生产设备和动力设备仅购入一期项目所需，即20条MOCVD生产线及相应的芯片生产设备，形成年产外延片96万片、芯片63.36亿粒的生产能力。项目总投资103868.29万元人民币。

二、建设单位

名称：佛山市国星半导体技术有限公司

地址：佛山市南海区广东新光源产业基地

联系人：王小姐     联系电话：83982820

三、环境影响评价机构

名称：清远市环境工程设计研究所

地址：清远市凤鸣路环保大厦二楼

联系人：张小姐     联系电话：0757-89988037
   传真：0757-89988073

四、征求公众意见的主要事项

1.对建设项目选址的意见；

2.对建设单位在污染治理措施等方面的意见和要求；

3.从社会经济发展和环境保护角度综合考虑，是否支持本项目建设；

4.对环评单位在编制环评报告书方面的意见和要求。

五、公众提出意见的主要方式

任何单位或个人若对项目建设、环评工作内容有宝贵意见或建议，请在十个工作日内通过邮件、电话、传真、信件等方式向建设单位或评价机构反馈意见，以便建设单位、环境影响评价单位在环境影响评价工作开展过程中采纳落实。

                                                佛山市国星半导体技术有限公司

                                                                       2011年10月20日